氧化鋅是一種具有優異壓電和光電特性的直接帶隙寬禁帶半導體材料，多變的形态結構直接決定其物理性質及應用潛力。氧化鋅的氣相合成與表征介紹，内容如下。
研究發現，在高溫沉積時催化劑顆粒出現在納米帶的頂部，納米帶的生長方向受催化劑晶格匹配的影響。研究中還利用催化劑或誘導劑的作用合成了梳子狀氧化鋅材料，并實現了定向生長。
研究發現，其生長方向在低溫沉積時比較多變，在高溫沉積時其生長方向僅為10-10或2-1-10.最後，在碳熱還原過程中讨論了氧化鋅與炭布、碳納米管（CNTs）及銅納米棒陣列複合材料的生長行為。研究發現，大尺寸炭材料易于與氧化鋅納米材料形成複合物。
然而，直接在納米碳材料表面生長氧化鋅納米線則必須有催化劑的誘導，而且随沉積溫度的升高氧化鋅的形态由線到棒最後形成顆粒。同樣，氧化鋅納米材料與Cu納米棒異質結構陣列的形成主要受溫度的影響。
因此，研究各種氧化鋅微/納米材料的晶體結構及生長行為，對探讨其産生獨特性能的原因，設計新型功能材料，以及進一步拓展氧化鋅材料的應用領域都有重要意義。
